微弧氧化又叫等離子體微弧氧化，是在陽極氧化的基礎上發展起來的，在金屬表面原位生長陶瓷層的一種表面處理技術。微弧氧化的生成陶瓷膜層的過程一般為：將Al、Mg、Ti及Zr等輕金屬或其合金置于電解質溶液中，當施加在電極兩端的電壓達到臨界值時，工作電極表面會出現電暈、輝光、火花放電及弧放電等現象，這種微區放電現象在工作電極表面不同的位置不斷間歇重復出現，表金屬面生成的氧化膜被擊穿，瞬間溫度可達2000℃，氧化膜在高溫高壓作用下熔融，等離子弧消失以后，熔融物急速冷卻形成陶瓷層。
微弧氧化膜層的生長是一個“成膜—擊穿—熔化—燒結—再成膜”的多次循環過程。微弧氧化裝置的基本構。 鎂合金微弧氧化形成的膜層主要分為過渡層、致密層、疏松層。疏松層是由很硬的、孔隙較大的物質組成，表面疏松且粗糙，易打磨掉。致密層是微弧氧化層的主體，約占氧化層總厚度的60% ～70%，該層致密、孔隙小，每個孔隙的直徑約為幾微米，孔隙率在5%以下，主要是鎂的氧化物，硬度高且磨損。過渡層為界面層，是微弧氧化膜層與基體的交界處。過渡層凹凸不平，與基體相互滲透，使微弧氧化膜層與基體結合牢固，屬典型的冶金結合。 當微弧氧化基體材料選定時，微弧氧化膜層的厚度與形貌主要受到電解液體系、電源類型、工作模式、電參數等的影響。與化學轉化、陽極氧化技術相比，鎂合金微弧氧化制備的膜層厚度可控，耐蝕性和磨損性也更優異，該方法已被證明是提高鎂合金的耐蝕和磨損性能的有作用的途徑，但微弧氧化膜層表面的微孔隙是限制耐蝕性提高的主要因素，需采用有作用的的封孔技術才能大幅度提高鎂合金的耐蝕性能。
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